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半導体デバイスのモデリングとシミュレーション

集積回路は、現代社会を支える基盤素子として、高性能化、高機能化を実現してきています。また、集積回路の構成要素である半導体トランジスタは、高精度なＴＣＡＤ（コンピュータ支援設計技術）を用いて微細化を実現してきました。しかし近年、トランジスタの微細化は、物理的な限界に達し、高性能化を維持することが難しくなってきています。将来のIoT社会を目指し、トランジスタのさらなる高性能化を実現するために、次世代のトランジスタとして新規材料や新規構造が研究されています。本研究室では、シリコンに代わる新規材料のエネルギーバンド構造を考慮した物理に基づいた電子輸送をモデリングし、従来のプレーナー構造に代わる新規構造のトランジスタの電気特性を高精度にシミュレーションする技術を研究開発しています。