安定相制御:新しい結晶を形成するためのエピタキシャル成長技術に関する研究
次々世代パワーデバイス:酸化ガリウムや酸化ゲルマニウムなどのパワーデバイスに関する研究開発
新規メモリ:強相関電子系材料による新規動作のメモリに関する研究開発
研究者紹介ページ
電気電子工学系
西中 浩之
Nishinaka Hiroyuki
電気電子工学系
西中 浩之
Nishinaka Hiroyuki
西中 浩之 教授
取得学位:
- 2006年3月 修士(工学) (京都大学)
- 2009年3月 博士(工学) (京都大学)
職歴:
- 2009年04月~ シャープ株式会社 主事
- 2015年01月~ 京都工芸繊維大学 助教
- 2020年02月~ 京都工芸繊維大学 准教授
- 2025年04月~ 京都工芸繊維大学 教授
所属学会: 応用物理学会、IEEE、材料学会
関連キーワード
ミストを用いた半導体デバイス形成技術
加湿器や医療用ネブライザ、冷却用の濡れない霧など、幅広く利用されているミストを半導体の形成技術へ適用する研究を進めています。このミストは塩のように水や溶媒に溶解できれば、どのような材料でも半導体形成に利用できるといった特徴が有ります。この特徴を活かして、種々の酸化物半導体や有機材料の成膜に成功しています。
現在は、このミストを用いて分極を有する超ワイドバンドギャップ酸化物によるパワーデバイスや新しい半導体材料の研究を行っています。
現在は、このミストを用いて分極を有する超ワイドバンドギャップ酸化物によるパワーデバイスや新しい半導体材料の研究を行っています。
ミストとそれを用いた装置
その他の研究内容
パテント
カタログ
