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SiC・GaN素子の活用に向けた回路応用・評価技術

パワーエレクトロニクスは、電力変換を通じて現代社会を支える基盤技術です。その鍵となるのが、電圧や電流のオン・オフを切り替えるパワー半導体素子です。近年、次世代半導体材料である炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）の実用化が進んでいますが、その優れた特性の活用には、素子特有の複雑な挙動や特性のばらつき、長期信頼性への深い理解が不可欠です。
本研究では、従来手法では捉えきれない特性を精密に評価・モデル化する技術や、長期信頼性を高める技術の開発を進めています。実用環境下でのSiCおよびGaN素子のふるまいを正しく理解し、その活用に資する知見を蓄積するとともに、性能を最大限に引き出す「使いこなし（駆動）技術」の構築に取り組んでいます。