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窒化アルミニウム(AlN)への新機能賦活

数％の3d遷移金属(Ti、V、Cr、Mn、Feなど)を添加した窒化アルミニウム（AlN）は、紫外-可視-赤外の広い帯域に渡る太陽光を吸収する物質になることが理論的に予測されています。また、水を分解できる電子状態を持ち、物理的・化学的安定性（とくに酸化耐性）が非常に高いため、太陽光と水、二酸化炭素から水素ガスやCH系燃料を作り出す人工光合成デバイス材料として期待されています。さらに、白色LEDなどの蛍光体や、圧電物質としても優れた特性を持つことが明らかになりつつあります。本研究室では、遷移金属添加AlN薄膜の合成と、基礎物性解明およびデバイス応用研究を推進しています。特に、放射光を光源としたX線分光技術による、基底状態およびデバイス動作状態下での電子状態研究を特色として、実験と理論計算研究の両面を進めています。