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ワイドバンドギャップ半導体中の欠陥評価

半導体結晶の電気的・光学的性質は、結晶中のわずかな量の欠陥によって決定されます。このため、半導体材料のポテンシャルを最大限に引き出したデバイスを作製するには、半導体結晶中の欠陥を精密に制御する必要があります。特に欠陥の密度を正確に定量することは、成長炉・デバイスプロセス装置の改良や成長条件・デバイスプロセス条件の最適化のために重要です。欠陥の中でも、原子レベルの変位である点欠陥に着目し、その局在した電子状態(欠陥準位)を過渡容量分光法により測定しています。半導体結晶中の着目したい点欠陥に合わせた欠陥密度の定量手法の開発を行い、点欠陥の性質を調べて学理を深めつつ、得られた情報をフィードバックして結晶成長・デバイスプロセスの改善に貢献することを目指しています。