研究分野：材料科学、結晶工学、電子顕微鏡学、半導体工学
研究課題：酸化ガリウム結晶の電子線結晶学的研究
ミラー電子顕微鏡法のアプリケーション開発
研究者紹介ページ
電気電子工学系
一色 俊之
Isshiki Toshiyuki
電気電子工学系
一色 俊之
Isshiki Toshiyuki
一色 俊之 教授
- 1987年04月～ 大阪府立工業高等専門学校 講師
- 1993年04月～ 京都工芸繊維大学 助手
- 1998年05月～ 京都工芸繊維大学 助教授
- 2007年04月～ 京都工芸繊維大学 准教授
- 2015年04月～ 京都工芸繊維大学 教授
所属学会： 応用物理学会、日本物理学会、日本顕微鏡学会
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該当するSDGs
高信頼性SiCパワーデバイス実現に向けた欠陥評価
シリコンカーバイド(SiC)は高性能パワー半導体素材として期待されています。SiCデバイス実用化には結晶欠陥を十分低減したデバイス用基板が必要で、基板中の欠陥種分布の評価が品質基板製造の鍵となります。本研究室では長年培ってきた電子顕微鏡による構造評価技術を中核に、SiC基板の欠陥分布評価法の探求および個々の欠陥構造の詳細評価に取り組んでいます。近年は走査型や透過型電子顕微鏡に加え、新開発のミラー電子顕微鏡による複合的な欠陥評価で成果を上げています。
SiCデバイスの信頼性向上への課題：SiC基板中の欠陥構造
その他の研究内容